BSS84TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电子设备中的开关应用。该器件采用小型封装,适用于需要高效能和紧凑设计的场合。
类型:P 沟道增强型 MOSFET
漏极电流(ID):100mA
漏极-源极电压(VDS):-100V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):5Ω(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
BSS84TR MOSFET 具备一系列优异的电气特性,使其在多种应用中表现出色。其高耐压能力使其适用于高达 100V 的电源管理系统。该器件的低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗,从而提高整体效率。此外,BSS84TR 的栅极驱动电压范围宽,允许在多种电压条件下稳定工作。它还具备良好的热稳定性,可在高温环境下可靠运行,确保长期使用的稳定性。
这款 MOSFET 的小型 SOT-23 封装设计非常适合空间受限的应用,如便携式电子设备、通信模块和工业控制系统。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频开关电路。BSS84TR 还具备良好的抗静电能力,提高了器件在制造和使用过程中的可靠性。
BSS84TR 主要用于以下应用场景:电源管理系统中的负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备中的电源控制、信号开关、继电器驱动电路以及各类嵌入式系统中的低功耗控制模块。由于其高可靠性和紧凑设计,它也常用于消费电子、汽车电子和工业自动化设备。
2N3906, BS250P, FDN340P