时间：2025/9/2 5:06:31
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HY5117800BJ60 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高速存储的电子设备中。该芯片具有较高的存储密度和快速的读写能力，适用于工业设备、计算机系统以及嵌入式系统等多种场景。
型号：HY5117800BJ60
容量：1MB
组织结构：256K x 4
电压：5V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级(-40°C至+85°C)
工艺技术：CMOS
HY5117800BJ60 采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗和高可靠性的特点，适合在各种恶劣环境下稳定工作。其5.4ns的访问时间确保了快速的数据存取能力，使得设备能够高效运行。此外，该芯片采用TSOP封装，具备良好的散热性能和空间利用率，非常适合对尺寸和功耗有要求的应用场景。
这款DRAM芯片的设计符合工业标准，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业控制、通信设备以及汽车电子等对环境适应性要求较高的应用。其256K x 4的组织结构和1MB的总容量，使其在中等规模存储需求中表现优异。
该芯片常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信基础设施、汽车电子系统等需要高速缓存和临时数据存储的场景。由于其高可靠性和宽温度范围，也适用于恶劣环境下的电子设备。
IS61LV25616-10B4I, CY7C199-10ZC, IDT71V416S10PFG
