容量：4Mbit
　　组织结构：256K x 16
　　电压：5V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

HY5117400CT-60 是一款高性能的异步DRAM芯片，具有较大的存储容量和快速的访问速度。其256K x 16的组织结构使其适合用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景。芯片采用低功耗设计，有助于降低系统整体功耗，同时提高系统的稳定性和可靠性。该芯片的5V供电设计使其兼容性良好，适用于多种电源管理系统。此外，其TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了抗干扰能力和信号完整性，适合在高频工作环境下使用。工业级的工作温度范围确保该芯片能够在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用领域。
　　HY5117400CT-60 的异步操作模式使其能够在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写操作，提高了灵活性。该芯片支持标准的DRAM读写操作，具备良好的数据保持能力，并可通过刷新操作维持数据完整性。其高速访问时间（最大5.4ns）确保了系统能够在较高频率下运行，提升了整体性能。此外，该芯片在制造过程中采用了先进的CMOS工艺，具有较高的集成度和较低的故障率，适用于长期运行的工业和通信设备。

HY5117400CT-60 主要用于需要高性能和大容量存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施、老式计算机主板以及网络设备中。该芯片也可用于需要临时数据存储和高速访问的图像处理和视频缓冲应用。

IS61LV25616-10T、CY7C1041CV33-10ZS、A611D400G、HY5117400CT-50