H5MS2G32AFR-Q3M 时间：2025/9/1 16:56:51 阅读：8

H5MS2G32AFR-Q3M 是由SK hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，广泛用于需要高性能内存的便携式设备中，例如智能手机和平板电脑。H5MS2G32AFR-Q3M 具有低功耗设计，适合电池供电设备使用，并提供较高的数据存储和访问速度。

参数

容量：2Gb
　　电压：1.8V / 2.5V
　　接口类型：DRAM
　　封装类型：TSOP
　　数据总线宽度：32位
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

H5MS2G32AFR-Q3M DRAM芯片的主要特性之一是其低功耗运行能力，这对于延长移动设备的电池寿命至关重要。该芯片支持多种低功耗模式，例如部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式，有助于在设备闲置时减少能耗。此外，该芯片具有高速数据访问能力，支持高达166MHz的时钟频率，从而提供较高的数据吞吐量。
　　该芯片的另一个关键特性是其32位宽的数据总线，这允许更快的数据传输速率，适用于需要快速处理大量数据的应用场景。H5MS2G32AFR-Q3M 还采用了TSOP（薄型小外形封装）技术，使得芯片尺寸较小，适合紧凑型电子设备的设计需求。此外，该芯片的工作温度范围较宽，可以在-40°C至+85°C的环境下稳定工作，适合在各种环境条件下使用。
　　这款DRAM芯片还具备高可靠性和耐用性，符合工业标准的测试和质量控制流程。它在数据存储和访问方面表现出色，适用于需要频繁读写操作的应用。H5MS2G32AFR-Q3M 的设计考虑了移动设备的特殊需求，包括抗震性和热管理，确保了在高负荷工作条件下的稳定性能。