HY5117400 是一款由Hynix(现为SK Hynix)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要大容量内存的电子设备中。这款芯片的设计目的是为计算机系统、嵌入式系统和其他需要高速数据处理的设备提供可靠的数据存储解决方案。HY5117400具有较高的存储密度和较低的功耗,是许多高性能计算设备的理想选择。
容量:4MB
数据宽度:16位
工作电压:3.3V
访问时间:5.4ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:0°C至70°C
HY5117400具备高速访问能力,其5.4ns的访问时间确保了数据能够快速地被读取和写入,这对于需要快速响应的应用至关重要。
此外,该芯片采用低功耗设计,在保证性能的同时减少了能源消耗,适用于对能效有要求的设备。
其TSOP封装形式不仅有助于提高芯片的散热性能,还便于在PCB板上的安装和布局。
HY5117400的工作温度范围为0°C至70°C,这使得它能够在多种环境条件下稳定工作,从普通的办公环境到较为严苛的工业环境都能适应。
该芯片还具备良好的可靠性和耐用性,能够在长时间运行的情况下保持数据的完整性。
HY5117400常用于个人电脑、服务器、工作站等计算设备中作为主内存使用。
除此之外,它也适合用在需要大量内存支持的嵌入式系统、网络设备以及图形加速器等硬件中。
由于其高速度和低功耗的特点,HY5117400也被广泛应用于通信设备和消费类电子产品中,如路由器、交换机、高端智能手机和平板电脑等。
在工业控制领域,该芯片同样可以作为高性能控制器的内存扩展模块,提供足够的数据处理能力。
HY5117400CJ-5-A, HY5117400CJK-5-A