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HY5116400CT-60 发布时间 时间:2025/9/2 4:38:34 查看 阅读:18

HY5116400CT-60是一款由现代电子(Hyundai Electronics,现为海力士Hynix)生产的16MB(1M x 16)高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:16MB(1M x 16)
  电压:3.3V 或 5V 可选
  访问时间:60ns
  封装:54引脚 TSOP
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  功耗:典型工作电流约100mA
  控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)

特性

HY5116400CT-60 是一款高速CMOS静态RAM芯片,其主要特点包括宽电压供电(支持3.3V和5V电源电压),适用于多种系统设计。其60ns的访问时间使其能够满足对性能要求较高的嵌入式应用需求。该芯片采用CMOS工艺,具有较低的静态功耗,在待机模式下电流极低,有助于降低系统整体功耗。
  该器件采用54引脚TSOP封装,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C)要求,适用于严苛环境下的工业控制、通信设备、网络设备和测试仪器等应用场景。此外,其并行接口设计支持16位数据总线,能够实现高速数据传输和直接连接微处理器或FPGA等主控器件。
  HY5116400CT-60还具备完整的控制信号接口,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持异步读写操作,便于在各种嵌入式系统中集成。其高可靠性和稳定性使其成为工业自动化设备、通信模块和数据缓存应用的理想选择。

应用

HY5116400CT-60 SRAM芯片广泛应用于需要高速、低功耗存储的工业控制、通信设备、网络设备、嵌入式系统和测试仪器中。例如,在工业自动化控制系统中,该芯片可作为高速缓存或临时数据存储单元,提升系统响应速度和处理能力;在通信模块中,可用于数据缓冲和协议处理;在嵌入式设备中,如智能仪表、医疗设备和车载控制系统,可用于存储实时数据和程序变量。
  由于其支持宽电压和宽温范围,HY5116400CT-60也适用于户外设备和恶劣环境下的应用,例如安防监控系统、智能电表和工业传感器等。此外,其16位并行接口也使其适用于需要高速数据传输的图像处理、音频处理和FPGA缓存应用。

替代型号

IS61LV102416ALB55BLL、CY7C1021B-SNXC、IDT71V124SA、AS7C31025C

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