时间：2025/9/2 5:57:27
阅读：22
HY4504W 是一款由 Hynix（现代半导体）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速DRAM产品系列。这款芯片广泛应用于计算机内存、工业控制设备、通信设备以及其他需要大容量存储和快速存取的系统中。其设计目标是提供高容量、高性能和低功耗的存储解决方案。
容量：4MB
组织结构：x16位
电压：3.3V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
时钟频率：166MHz
封装尺寸：54引脚 TSOP
数据保持电压：2.3V 至 3.6V
HY4504W 是一款基于CMOS技术的高速DRAM芯片，采用异步设计，适用于需要快速数据访问的应用场景。其异步接口设计允许其与多种主控设备兼容，无需严格的时钟同步控制，从而提高了设计的灵活性。该芯片支持快速页面模式访问，可以在一个访问周期内连续读取多个地址的数据，显著提高了数据吞吐率。此外，HY4504W 具有低待机电流特性，能够在不进行数据读写操作时自动进入低功耗模式，从而减少整体功耗，非常适合对功耗敏感的设备使用。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。工业级的工作温度范围使得该芯片能够在恶劣环境中稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等广泛领域。此外，该芯片具有较长的数据保持时间，在断电情况下也能在一定时间内保持数据完整性，确保系统在重启时不会丢失重要信息。
HY4504W 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费电子产品（如打印机、扫描仪、显示设备）以及需要大容量缓存和快速数据访问的系统中。
HY4504W 的替代型号包括 HY4504AS 和 ISSI 的 IS45S16400J。
