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HY4504W 发布时间 时间:2025/9/2 5:57:27 查看 阅读:6

HY4504W 是一款由 Hynix(现代半导体)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速DRAM产品系列。这款芯片广泛应用于计算机内存、工业控制设备、通信设备以及其他需要大容量存储和快速存取的系统中。其设计目标是提供高容量、高性能和低功耗的存储解决方案。

参数

容量:4MB
  组织结构:x16位
  电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  时钟频率:166MHz
  封装尺寸:54引脚 TSOP
  数据保持电压:2.3V 至 3.6V

特性

HY4504W 是一款基于CMOS技术的高速DRAM芯片,采用异步设计,适用于需要快速数据访问的应用场景。其异步接口设计允许其与多种主控设备兼容,无需严格的时钟同步控制,从而提高了设计的灵活性。该芯片支持快速页面模式访问,可以在一个访问周期内连续读取多个地址的数据,显著提高了数据吞吐率。此外,HY4504W 具有低待机电流特性,能够在不进行数据读写操作时自动进入低功耗模式,从而减少整体功耗,非常适合对功耗敏感的设备使用。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的热性能和电气性能,适合高密度PCB布局。工业级的工作温度范围使得该芯片能够在恶劣环境中稳定运行,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等广泛领域。此外,该芯片具有较长的数据保持时间,在断电情况下也能在一定时间内保持数据完整性,确保系统在重启时不会丢失重要信息。

应用

HY4504W 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费电子产品(如打印机、扫描仪、显示设备)以及需要大容量缓存和快速数据访问的系统中。

替代型号

HY4504W 的替代型号包括 HY4504AS 和 ISSI 的 IS45S16400J。

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