TT106N12KOF 时间：2025/8/23 17:05:11 阅读：9

TT106N12KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率应用设计，具备低导通电阻、高耐压能力和出色的热稳定性，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机驱动器和负载开关等。TT106N12KOF 的最大漏极-源极电压为 1200V，额定漏极电流可达 106A，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：106A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 60mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 260nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

特性

TT106N12KOF MOSFET 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的高耐压能力（1200V VDS）使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和工业控制系统。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和高电流承受能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其 TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，适用于需要高效散热的应用场景。此外，TT106N12KOF 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的测试和验证，确保在各种工作条件下都能提供稳定的性能。其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于极端环境下的应用，如工业自动化、新能源和电动汽车等领域。

应用

TT106N12KOF 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子系统。例如，在工业电源和电机驱动器中，该 MOSFET 可用于实现高效的 DC-DC 转换和逆变器电路。此外，它也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和储能系统等新能源领域。
　　在电动汽车领域，TT106N12KOF 可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）中的功率开关。其高可靠性和良好的热管理能力使其在这些高温和高负载环境下表现出色。
　　另外，该器件也可用于家电和工业控制设备中的负载开关和保护电路，以实现快速、可靠的电源管理。