HY4306B6 时间：2025/9/2 5:54:17 阅读：4

HY4306B6 是一款由国产厂商设计并生产的高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）驱动器芯片，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及各种需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合。该芯片内部集成了高端和低端驱动电路，支持半桥或全桥拓扑结构，具备较强的抗干扰能力和稳定性。HY4306B6通常采用SOP或DFN封装形式，适用于工业级工作温度范围。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　供电电压范围：10V ~ 20V（VDD）
　　输入逻辑电压范围：3.3V ~ 5V兼容
　　峰值输出电流：高端1.4A / 低端2.0A
　　导通延迟时间：典型值约80ns
　　关断延迟时间：典型值约70ns
　　死区时间可调：支持
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOP-8 / DFN-8

特性

HY4306B6具备高集成度和良好的热稳定性，采用双通道架构设计，高端和低端输出驱动能力分别达到1.4A和2.0A，能够有效驱动大功率MOSFET或IGBT模块。该芯片内置欠压保护（UVLO）功能，当供电电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止误操作。其驱动延迟时间较短，有助于提高开关效率，降低开关损耗。
　　此外，HY4306B6支持死区时间调节功能，用户可根据具体应用场景灵活配置，防止上下桥臂同时导通造成的直通短路。芯片具备较强的抗噪声干扰能力，适用于电磁环境复杂的工业控制系统。其封装形式紧凑，便于PCB布局和散热设计，广泛用于电源转换、电机驱动、UPS系统、光伏逆变器等应用领域。
　　HY4306B6的输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平，方便与MCU、DSP或FPGA等控制器连接，实现精确的PWM控制。芯片内部还集成了自举电路，简化了外围设计，提高了系统的可靠性。