SMF5946A是一种高效能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型化的SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适合于各种功率转换和负载开关应用。SMF5946A在便携式电子设备中表现出色,例如智能手机、平板电脑和其他消费类电子产品中的电源管理电路。
该器件通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电容,从而提高了开关速度并降低了功率损耗。
型号:SMF5946A
类型:N-Channel MOSFET
封装:SOT-23
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):180mΩ(典型值,Vgs=10V时)
Id(连续漏电流):1.9A
Vgs(栅源电压):±20V
功耗:710mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
栅极电荷:4nC(典型值)
SMF5946A的主要特性包括:
1. 超低导通电阻,可显著降低功率损耗。
2. 快速开关能力,适用于高频应用。
3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 高击穿电压,增强系统的稳健性。
5. 极低的输入和输出电容,进一步减少开关时间。
6. 宽广的工作温度范围,确保在恶劣环境下稳定运行。
这些特点使得SMF5946A成为众多低压、小电流应用的理想选择。
SMF5946A广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. 各种DC-DC转换器的设计。
3. 负载开关,在便携式设备中实现动态电源管理。
4. 电池保护电路,防止过充或过放。
5. 数据通信接口保护。
6. 消费类电子产品中的电机驱动控制。
由于其高效的性能和紧凑的尺寸,SMF5946A非常适合需要高效率和小型化设计的应用场景。
SMF5946AL
NTSN1946T1G
FDMQ8206