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HY3912 发布时间 时间:2025/9/1 15:52:15 查看 阅读:12

HY3912是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的双通道、高频、低导通电阻的MOSFET驱动芯片。该芯片专为高效率的同步整流系统设计,适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及各类需要高侧和低侧MOSFET驱动的场合。HY3912采用高集成度设计,具备良好的驱动能力和快速响应特性,能够有效降低开关损耗并提升系统效率。

参数

类型:MOSFET驱动芯片
  通道数:2
  工作电压:4.5V - 20V
  输出电流(峰值):1.2A(典型值)
  传播延迟:25ns(典型值)
  上升/下降时间:8ns / 6ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:SOP-8

特性

HY3912采用双通道输出结构,能够同时驱动高侧和低侧MOSFET,支持高频开关操作,最大工作频率可达2MHz以上。其内置的欠压锁定(UVLO)功能可有效防止在电源电压不足时误操作,从而保护MOSFET和系统稳定性。此外,该芯片具备较强的抗干扰能力,采用CMOS工艺制造,功耗低且输出驱动能力强,适用于各种高频、高效率的功率转换应用。
  芯片的输入端兼容PWM控制器信号,能够实现精确的占空比控制,同时输出端采用图腾柱结构,提供快速而稳定的开关性能。HY3912还具备过温保护功能,在高温环境下自动限制输出,确保芯片安全运行。

应用

HY3912主要应用于同步整流型DC-DC转换器、开关电源、适配器、服务器电源、电机驱动器、LED驱动器、工业自动化设备以及车载电源系统等场景。由于其高频工作能力和高效驱动性能,HY3912特别适用于需要高转换效率和紧凑设计的电源系统。

替代型号

Si8412BD-S1-F, IRS2104S, TC4429, NCP8104

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