时间：2025/12/26 10:40:13
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DPLS160V-7是一款由Diodes Incorporated生产的高电压、高效率的硅P沟道功率MOSFET，采用先进的平面技术制造，专为满足电源管理应用中的性能和可靠性要求而设计。该器件封装在TO-252（DPAK）表面贴装封装中，适用于需要良好热性能和紧凑布局的应用场景。DPLS160V-7具有较高的漏源击穿电压（V_DSS），可支持高达-160V的反向电压，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及高边或低边开关等高压应用场景。其P沟道结构允许在栅极驱动电路简化的情况下实现负载开关控制，尤其在高边开关配置中无需额外的电荷泵电路即可工作。该器件具备较低的导通电阻（R_DS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。同时，它还具备良好的热稳定性和雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的鲁棒性。DPLS160V-7符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，确保在严苛环境下的长期稳定运行。
型号：DPLS160V-7
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：P沟道功率MOSFET
封装/包装：TO-252 (DPAK)
极性：P沟道
漏源电压(V_DSS)：-160V
栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：-5.8A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流(I_DM)：-23.2A
导通电阻(R_DS(on))：0.24Ω（@ V_GS = -10V, I_D = -2.9A）
导通电阻(R_DS(on))：0.3Ω（@ V_GS = -10V, I_D = -5.8A）
阈值电压(V_GS(th))：-3.0V（典型值）
输入电容(Ciss)：590pF（@ V_DS = -80V, V_GS = 0V）
输出电容(Coss)：140pF（@ V_DS = -80V, V_GS = 0V）
反向恢复时间(trr)：不适用（体二极管为自然恢复型）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C（TJ）
最大功耗(PD)：50W（Tc=25°C）
安装类型：表面贴装
DPLS160V-7采用了优化的平面栅极技术和P沟道硅基工艺，使其在高压应用中表现出优异的电气性能和热稳定性。该器件的最大漏源电压可达-160V，能够在高电压环境下可靠地关断电流，适用于工业电源、电信整流器及离线式开关电源等对耐压要求较高的场合。其导通电阻在V_GS = -10V时仅为0.24Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升系统能效并减少散热需求。此外，由于是P沟道结构，在高边开关应用中可以直接由逻辑电平驱动，无需复杂的栅极驱动电路或自举电容，简化了设计复杂度并节省PCB空间。
该MOSFET具备出色的热性能，TO-252封装提供了良好的散热路径，可通过焊接到PCB上的铜箔区域有效传导热量，支持高达50W的功耗处理能力（在理想散热条件下）。其结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端工作环境，适用于户外设备、汽车电子和工业控制系统。器件内部集成的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽不如肖特基二极管快速，但在大多数开关应用中足以满足需求。同时，DPLS160V-7经过严格的质量控制流程，具备高抗雪崩能力和长期可靠性，能够承受突发的电压尖峰和过载情况，保障系统安全运行。
另外，该器件符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，支持绿色环保设计理念。其标准化封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。总体而言，DPLS160V-7是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的P沟道功率MOSFET，特别适合用于替代传统N沟道高边驱动方案，降低系统成本与设计难度。
DPLS160V-7广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC转换器中的同步整流或负载开关；在这些系统中，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高转换效率并减小体积。该器件也常用于高边开关配置中，例如电池管理系统、电源冗余切换电路和电机控制模块，在这些应用中P沟道结构无需额外的驱动电路即可实现简单高效的控制。此外，它还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及工业控制板上的继电器替代方案，提供无触点、长寿命的电子开关功能。由于其良好的热性能和坚固的封装设计，DPLS160V-7也适用于车载电子系统和恶劣环境下的工业设备，作为主开关元件或保护开关使用。其高电压阻断能力和稳定的工作表现使其成为许多中高端电源设计中的优选器件。
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"DMP2006UFG-7",
"DMG2302UK-7",
"AO4407A",
"FDD8858",
"SI2301DS"
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