时间：2025/12/28 17:14:04
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HY3708M 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能存储器产品系列。该芯片主要用于需要高速数据存储和访问的电子设备，例如个人电脑、服务器、嵌入式系统等。HY3708M 的设计旨在提供稳定的数据存储性能，并支持较高的数据传输速率，适用于多种应用场景。
容量：8 MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
数据总线宽度：x8
电压：3.3V
访问时间：5.4ns
工作温度范围：0°C 至 70°C
最大工作频率：166 MHz
HY3708M 是一款高性能DRAM芯片，具有较低的延迟和较高的数据传输速率。其主要特点包括高容量存储能力、低功耗设计、稳定的性能表现以及广泛的工作温度范围，使其适用于多种电子设备。
这款DRAM芯片采用了TSOP封装技术，有助于减小芯片体积并提高封装密度，适用于空间受限的应用场景。此外，HY3708M 支持3.3V电压操作，能够在较高频率下稳定运行，适用于需要快速数据处理的系统。
其访问时间为5.4ns，能够满足高速数据存取的需求。同时，HY3708M 的工作温度范围为0°C至70°C，适用于大多数工业和商业环境，确保在不同条件下都能保持稳定的性能。
HY3708M 主要应用于需要高性能存储解决方案的电子设备，如个人计算机、服务器、嵌入式系统、工业控制系统、网络设备以及消费类电子产品。由于其高速数据传输能力和稳定性，该芯片也常用于需要实时数据处理的应用场景。
HY3708M-5.4T
