时间：2025/6/17 4:23:03
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SRT30L80DC-R 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN3020-8 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能电源转换应用。其出色的热性能和小尺寸封装使其成为需要紧凑设计的电子设备的理想选择。
V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷：24nC
总电容（输入电容）：1050pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
SRT30L80DC-R 提供了卓越的电气性能和可靠性。
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 高速开关能力减少了开关损耗。
3. 具备优异的热特性和鲁棒性，适合恶劣环境下的使用。
4. 小型化封装有助于节省 PCB 空间并简化系统布局。
5. 通过了 AEC-Q101 认证，确保在汽车级应用中的可靠运行。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电动工具和家用电器驱动
4. 汽车电子系统如电机控制和电池管理
5. 工业自动化及通信电源解决方案
SRT30L80DC、SRT30L80DC-E3、IRLR7846PBF
