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HY29LV160BT 发布时间 时间:2025/9/2 4:54:37 查看 阅读:18

HY29LV160BT是一款由Hynix Semiconductor(现为SK Hynix)生产的16位、16Mbit(1MB)闪存芯片,属于NOR Flash存储器类别。该芯片常用于嵌入式系统中,适用于需要代码存储和数据存储的应用场景。HY29LV160BT支持低电压操作,适用于便携式设备和低功耗应用。

参数

容量:16Mbit(1MB)
  组织结构:1M x 16位
  电压范围:2.7V至3.6V
  访问时间:55ns、70ns或90ns可选
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行接口
  擦除和写入电压:内部电荷泵提供
  编程/擦除周期:10万次以上
  数据保留时间:10年以上

特性

HY29LV160BT采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗特性,适用于需要长时间运行而无需频繁更换电池的设备。该芯片支持快速随机读取操作,适合用于存储引导代码和关键系统数据。其并行接口设计使得与微控制器或处理器的连接更加简便,减少了外围电路的复杂性。
  HY29LV160BT具备块擦除功能,允许用户选择性地擦除特定区域,从而提高了数据管理的灵活性。该芯片还具有写保护功能,可防止意外的数据丢失或损坏。此外,HY29LV160BT的耐用性较高,支持超过10万次的擦写周期,适合频繁更新数据的应用场景。
  在数据安全性方面,HY29LV160BT提供硬件和软件写保护选项,确保关键数据不会被意外修改或删除。同时,该芯片支持多种封装形式,便于根据具体应用需求进行选择。

应用

HY29LV160BT广泛应用于嵌入式系统中,如通信设备、工业控制系统、消费电子产品、汽车电子系统以及便携式设备等。该芯片特别适合用于存储启动代码(Boot Code)、固件、配置数据或其他需要快速访问和高可靠性的程序和数据。

替代型号

AM29LV160BT, MX29LV160BT, S29GL160KT

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