EPC8QC100T 时间：2025/12/25 3:27:59 阅读：13

EPC8QC100T 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司制造的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET）。这款器件主要用于高效率、高频率的电源转换应用，例如DC-DC转换器、同步整流器以及功率因数校正电路等。EPC8QC100T 是采用先进的 GaN-on-Si 技术制造的，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，使其非常适合用于需要高功率密度和高能效的系统。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：8A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：100mΩ（典型值）
　　封装类型：四方扁平无引脚封装（QFN）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷（QG）：低至1.3nC（典型值）
　　反向恢复电荷（QRR）：极低，适用于高频开关
　　封装尺寸：3.3mm x 3.3mm
　　符合RoHS标准：是

特性

EPC8QC100T 的主要特性包括非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件具有极低的栅极电荷（QG）和输出电容（COSS），这使得在高频开关应用中能够显著降低开关损耗。EPC8QC100T 还具有极低的反向恢复电荷（QRR），这在同步整流或高频变换器中非常重要，因为它可以减少死区时间并降低损耗。此外，该器件采用了先进的 GaN-on-Si 技术，具有更高的热稳定性和更小的芯片尺寸。EPC8QC100T 还具有快速的开关速度，支持高达数百千赫兹甚至兆赫级别的开关频率，从而允许使用更小的无源元件，如电感和电容，实现更紧凑的设计。其封装设计也优化了热性能，确保在高功率密度应用中仍能保持良好的散热效果。

应用

EPC8QC100T 主要应用于需要高效率和高频操作的电源系统，例如服务器电源、电信电源、LED照明驱动器、同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器以及无线充电系统。由于其高频开关能力和低导通电阻，EPC8QC100T 非常适合用于提高电源系统的功率密度和效率。在服务器和电信设备中，该器件能够帮助设计者实现更高效率的电源转换，从而降低整体能耗和散热需求。此外，EPC8QC100T 在无线充电系统中也有广泛应用，因为它能够支持高频操作，从而提高充电效率并减小充电器的体积。

替代型号

EPC8QC100T 的替代型号包括 EPC2045、EPC2034 和 TI 的 LMG5200 等。这些器件在某些应用中可以提供类似或改进的性能，具体取决于设计需求。例如，EPC2045 提供了更低的 RDS(on)，而 LMG5200 则是一个 GaN 功率级 IC，集成了驱动器和 FET，适用于更复杂的功率转换系统。