HY29F080T-90I 时间：2025/9/2 5:57:15 阅读：24

HY29F080T-90I 是由Hynix（现为SK Hynix）公司生产的一款8M位（1M x8）的Flash存储器芯片。该芯片属于NOR型闪存，适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备。HY29F080T-90I具有高性能和低功耗的特点，能够在工业级温度范围内稳定工作，使其成为工业和汽车应用的理想选择。

参数

容量：8M位（1M x8）
　　电源电压：2.7V至3.6V
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：56引脚TSOP
　　读取电流（典型值）：20mA
　　待机电流（最大值）：10μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供高压
　　编程/擦除电流：10mA（典型值）

特性

HY29F080T-90I 具有多个显著的特性，使其适用于多种应用场景。首先，其90ns的快速访问时间确保了高效的数据读取性能，适合需要高速操作的系统。其次，该芯片支持低功耗模式，待机电流仅为10μA，非常适合对功耗敏感的应用。此外，HY29F080T-90I 支持单电源供电，电压范围为2.7V至3.6V，简化了电源设计，提高了系统的可靠性。
　　该芯片的存储单元设计采用了Hynix先进的Flash技术，具有高可靠性和长寿命，擦写次数可达10万次以上。同时，它支持多种软件和硬件保护机制，防止意外的写入或擦除操作，确保数据的安全性。在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内，HY29F080T-90I 能够稳定运行，适用于严苛的工业和汽车环境。

应用

HY29F080T-90I 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。例如，它常用于工业自动化设备、通信基础设施（如路由器和交换机）、汽车电子系统（如车载信息娱乐系统和仪表盘控制单元）、医疗设备以及消费类电子产品中的固件存储。此外，该芯片也可用于固态存储解决方案中的引导代码存储，确保系统启动的可靠性和稳定性。