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HY29F080T-90I 发布时间 时间:2025/9/2 5:57:15 查看 阅读:6

HY29F080T-90I 是由Hynix(现为SK Hynix)公司生产的一款8M位(1M x8)的Flash存储器芯片。该芯片属于NOR型闪存,适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景,例如嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备。HY29F080T-90I具有高性能和低功耗的特点,能够在工业级温度范围内稳定工作,使其成为工业和汽车应用的理想选择。

参数

容量:8M位(1M x8)
  电源电压:2.7V至3.6V
  访问时间:90ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装尺寸:56引脚TSOP
  读取电流(典型值):20mA
  待机电流(最大值):10μA
  编程/擦除电压:内部电荷泵提供高压
  编程/擦除电流:10mA(典型值)

特性

HY29F080T-90I 具有多个显著的特性,使其适用于多种应用场景。首先,其90ns的快速访问时间确保了高效的数据读取性能,适合需要高速操作的系统。其次,该芯片支持低功耗模式,待机电流仅为10μA,非常适合对功耗敏感的应用。此外,HY29F080T-90I 支持单电源供电,电压范围为2.7V至3.6V,简化了电源设计,提高了系统的可靠性。
  该芯片的存储单元设计采用了Hynix先进的Flash技术,具有高可靠性和长寿命,擦写次数可达10万次以上。同时,它支持多种软件和硬件保护机制,防止意外的写入或擦除操作,确保数据的安全性。在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内,HY29F080T-90I 能够稳定运行,适用于严苛的工业和汽车环境。

应用

HY29F080T-90I 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。例如,它常用于工业自动化设备、通信基础设施(如路由器和交换机)、汽车电子系统(如车载信息娱乐系统和仪表盘控制单元)、医疗设备以及消费类电子产品中的固件存储。此外,该芯片也可用于固态存储解决方案中的引导代码存储,确保系统启动的可靠性和稳定性。

替代型号

AM29F080B-90EC, MX29LV800BBTC-90G

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