容量：8Mbit（1M × 8）
　　电压范围：2.7V 至 5.5V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：32
　　访问时间：55ns（最大）
　　读取电流：10mA（典型值）
　　待机电流：100nA（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）
　　接口类型：并行接口（x8）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵提供高压

HY29F080R12 是一款高性能的并行闪存芯片，具备宽电压工作范围（2.7V至5.5V），使其适用于多种电源环境。该芯片支持低功耗待机模式，待机电流仅为100nA，适合用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。
　　该芯片内置电荷泵电路，用于提供编程和擦除操作所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统设计。HY29F080R12 支持快速读取操作，访问时间低至55ns，确保了高速数据存取能力，适用于需要快速响应的系统。
　　在存储结构方面，HY29F080R12 分为多个可独立擦除的块（sector），支持扇区擦除和字节编程功能，提供灵活的存储管理方式。该器件支持百万次以上的编程/擦除周期，具有较长的使用寿命，并具备高可靠性和数据保持能力（通常可达10年以上）。
　　此外，HY29F080R12 提供工业级和商业级两种温度版本，满足不同工作环境的需求。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。

HY29F080R12 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、智能卡终端、通信模块、手持设备、打印机、网络设备等需要非易失性程序或数据存储的场景。由于其高速读取能力和低功耗特性，该芯片也常用于汽车电子系统、智能传感器和远程监控设备中。

AM29F080B-55RI, TC58FV160BFT, MX29LV800BBTC-55G, SST39VF800A-55-4C-NHE