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HY29F040AT-70 发布时间 时间:2025/9/2 8:42:46 查看 阅读:13

HY29F040AT-70 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款8位闪存存储器(Flash Memory)芯片。这款芯片的容量为512KB(即4Mbit),属于早期广泛应用的并行闪存芯片之一,常用于嵌入式系统、固件存储和小型数据存储应用。HY29F040AT-70支持标准的并行接口,具备较高的可靠性和稳定性。这款芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,适合在工业和商业环境中使用。

参数

型号: HY29F040AT-70
  容量: 4Mbit (512KB)
  电压范围: 2.7V - 3.6V 或 5V 供电
  接口类型: 并行异步接口
  访问时间: 70ns 最大
  封装类型: TSOP
  工作温度范围: 工业级(-40°C 至 +85°C)
  读写操作: 支持字节写入和页写入
  擦除块大小: 整体芯片擦除或分块擦除

特性

HY29F040AT-70 是一款高性能的闪存芯片,具有良好的耐用性和数据保持能力。其主要特性之一是支持低电压操作,可在2.7V至3.6V或5V的电压下运行,适用于多种电源条件下的嵌入式系统。该芯片的访问时间最快为70ns,满足对读取速度有一定要求的应用场景。此外,HY29F040AT-70 支持标准的并行接口协议,兼容多种微控制器和处理器的接口方式,便于集成到系统中。
  在数据管理方面,HY29F040AT-70 提供了灵活的擦除和写入机制。它支持整块擦除(Bulk Erase)和分块擦除(Sector Erase),用户可根据需要选择擦除范围。同时,该芯片支持页写入功能,提高了写入效率。此外,芯片内部集成了写入状态寄存器(Status Register),允许主机系统通过查询方式判断写入或擦除操作是否完成。
  从封装和应用角度看,HY29F040AT-70 采用TSOP封装形式,具有较小的尺寸和良好的散热性能,适合空间受限的电路设计。它的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种环境。

应用

HY29F040AT-70 主要用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,如工业控制器、通信设备、医疗仪器、智能卡读写器、网络设备等。由于其512KB的存储容量适中,适合用于存储固件、BIOS、引导代码或小型数据记录。该芯片也可用于汽车电子系统中的参数存储或诊断信息记录。在消费电子领域,HY29F040AT-70 常见于打印机墨盒识别、游戏机外设、手持设备等产品中,作为程序或配置数据的存储介质。
  此外,由于该芯片具备良好的兼容性和稳定性,HY29F040AT-70 也广泛用于开发板、调试工具和测试设备中,作为程序烧录和验证的临时存储器。其并行接口设计使得与多种处理器和控制器的连接更加简便,降低了系统设计的复杂度。

替代型号

AM29F040B-70, M29F040B-70, TC58FV400FT, SST39SF040

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