H5TQ5163MFR-12C 时间：2025/9/2 13:50:25 阅读：12

H5TQ5163MFR-12C 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能存储器，广泛应用于嵌入式系统、消费电子产品、工业设备以及通信设备中，提供高效的数据存储和处理能力。

参数

容量：512Mbit
　　组织结构：16M x 32
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54-pin
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H5TQ5163MFR-12C 具备高速访问能力，其12ns的访问时间使其适用于对性能要求较高的应用环境。该芯片采用低电压（1.8V）设计，有助于降低功耗，延长设备电池寿命，并减少热量产生。
　　这款DRAM芯片采用了先进的CMOS技术，以提高稳定性和能效。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式不仅节省空间，还提高了封装密度，适用于高集成度的PCB设计。
　　此外，H5TQ5163MFR-12C 的工作温度范围较宽（-40°C 至 +85°C），使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。该芯片还具备良好的数据保持能力，即使在低功耗模式下也能确保数据的完整性。
　　在系统设计中，该DRAM芯片支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，能够根据系统需求灵活调整，从而在性能与功耗之间取得平衡。它还支持突发模式，可提高数据传输效率，适用于需要高速数据访问的应用场景。

应用

H5TQ5163MFR-12C 主要用于各种嵌入式系统和便携式电子设备，例如智能手机、平板电脑、数码相机、网络路由器和工业控制设备。此外，该芯片也适用于汽车电子系统、安防监控设备以及高性能计算模块。
　　在通信设备中，H5TQ5163MFR-12C 可用于缓存数据和临时存储运行中的程序代码，提高设备响应速度和数据处理能力。
　　在工业控制领域，该芯片支持实时数据采集和处理，有助于提高自动化系统的效率和稳定性。