容量：16 Mbit (2MB)
　　 电压：2.7V 至 3.6V
　　 封装：48-TSOP, 48-BGA 等
　　 存储架构：NOR Flash
　　 访问时间：55ns, 70ns, 90ns 可选
　　 工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　 接口类型：异步接口
　　 编程电压：内部产生，无需外部高压
　　 存储单元寿命：10万次编程/擦除周期
　　 数据保持时间：10年

HY29DS163T的特性包括高性能的异步读取操作，能够满足嵌入式系统中代码执行的需求。其55ns的快速访问时间确保了微处理器能够高效地读取存储器中的指令和数据。此外，该器件支持页编程和缓冲编程功能，显著提高了编程速度，同时减少了主机处理器的等待时间。HY29DS163T的擦除操作包括扇区擦除、块擦除和全片擦除模式，提供了灵活的管理选项。该芯片还集成了自动睡眠模式和待机模式，有助于降低功耗，延长设备的电池寿命。
　　该存储器芯片内置了错误检测和纠正功能，增强了数据的可靠性。此外，它支持硬件和软件数据保护机制，防止因意外写入或擦除导致的数据丢失。HY29DS163T符合工业级温度标准，确保在严苛环境条件下依然能够稳定工作。它的设计充分考虑了长期可靠性和耐用性，适用于对稳定性要求较高的应用场合。

HY29DS163T因其高性能和高可靠性，被广泛应用于多个领域。例如，在工业控制系统中，用于存储程序代码和关键数据；在通信设备中，用于固件存储和配置数据保存；在汽车电子系统中，用于ECU（电子控制单元）的程序存储。此外，它还适用于医疗设备、消费电子产品和各种嵌入式系统中，为需要代码存储和快速执行的应用提供可靠的解决方案。

AM29LV160DB, MX29LV160AB, S29GL16P