容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行（NOR Flash）
　　读取电流（最大）：15mA
　　待机电流（最大）：10μA

HY29DL163TT-90I 采用高性能的NOR Flash技术，具备快速的读取速度（访问时间仅为90ns），适用于需要快速启动和执行代码的嵌入式系统。其宽电压范围（2.3V至3.6V）设计使其能够兼容多种电源系统，并支持低功耗模式，适用于便携式设备和电池供电系统。
　　该芯片支持标准的并行接口，与多种微控制器（MCU）和处理器兼容，便于系统集成。内部采用先进的ECC（错误校正码）技术，提高了数据的可靠性，延长了使用寿命。HY29DL163TT-90I还支持软件和硬件写保护功能，有效防止意外写入和数据损坏。
　　其封装形式为TSOP，具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。该芯片广泛用于工业控制、通信设备、消费类电子产品、汽车电子等领域。

HY29DL163TT-90I 主要应用于需要非易失性存储器进行程序存储和数据存储的嵌入式系统中。例如，在工业控制系统中，该芯片可用于存储固件、配置数据和操作代码；在通信设备中，可作为引导存储器或数据缓存；在消费类电子产品如智能家电、穿戴设备中，用于存储用户数据和系统参数。
　　此外，该芯片也广泛应用于汽车电子系统，如车载导航、行车记录仪和车载娱乐系统，用于存储操作系统、应用程序和地图数据。由于其具备工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于严苛的环境条件。
　　在物联网（IoT）设备中，HY29DL163TT-90I 可用于存储传感器数据、设备固件和安全密钥，满足低功耗和高可靠性需求。

AM29LV163BT-90I, S29AL016D90TAI020, M58LR163EKI60ZT