时间：2025/8/24 6:33:48
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7427925 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及需要高效率和高功率密度的场合。该器件采用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于多种高电流、高电压的功率转换应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：100A（最大值）
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约 3.5mΩ（典型值，VGS = 10V）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB、D2PAK（具体封装可能因制造商不同而略有差异）
7427925 MOSFET 具有出色的导通性能和快速开关特性，能够在高频率下保持较低的开关损耗，从而提高整体系统效率。其极低的 RDS(on) 有助于减少功率损耗，降低温升，并提高功率密度。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护功能。其栅极驱动要求较低，能够兼容标准逻辑电平，适用于多种控制电路。
7427925 常用于各种电源转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及高功率 LED 驱动电路。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件也常被用于工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及汽车电子系统中。
IRF1405、Si4410DY、NTMFS4C10N、FDS4410A
