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HY27UV08BG5A 发布时间 时间:2025/9/2 4:04:52 查看 阅读:8

HY27UV08BG5A 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,广泛用于嵌入式系统和存储设备中。该芯片具有8位数据总线宽度,适用于需要较大存储容量和较高读写性能的应用场景。作为一款非易失性存储器,HY27UV08BG5A在断电情况下仍能保持数据不丢失,适合用于固件存储、数据缓存以及嵌入式系统的操作系统存储。

参数

容量:128MB
  电压范围:2.7V - 3.6V
  接口类型:8位NAND接口
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  存储单元结构:NAND Flash
  编程/擦除周期:10万次
  数据保留时间:10年

特性

HY27UV08BG5A是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片,适用于多种嵌入式应用。其8位并行接口设计使得数据传输速率较高,支持快速读写操作,适用于需要频繁更新数据的应用场景。该芯片采用NAND闪存技术,具有较高的存储密度和较低的单位成本,是大容量数据存储的理想选择。此外,HY27UV08BG5A具备较强的环境适应能力,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用环境。
  该芯片的编程和擦除寿命可达10万次,确保了长期使用的可靠性。同时,数据保留时间长达10年,即使在长时间断电情况下也能有效保护存储的数据。HY27UV08BG5A还支持页编程和块擦除功能,提高了存储管理的灵活性和效率。对于嵌入式系统而言,该芯片的TSOP封装形式便于PCB布局和焊接,有助于提高生产效率和产品可靠性。

应用

HY27UV08BG5A 主要应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统,如数字电视、机顶盒、打印机、路由器、工业控制系统以及汽车导航系统等。此外,它也可用于固态硬盘(SSD)、USB闪存盘和其他便携式电子设备的存储模块。

替代型号

K9F1208U0B, TC58NVG2S0FT, NAND512W3A2CNZ

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