容量：8GB
　　组织结构：2GB x 8位
　　电压范围：1.8V - 3.3V
　　接口类型：NAND闪存接口
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：0°C至70°C（标准工业级）

HY27UU08BG2M-TPCB具备高性能和高可靠性，适用于多种存储应用场景。其多电压支持设计使其能够兼容不同的主机系统，提升了使用的灵活性。该芯片支持页编程、块擦除等基本的NAND闪存操作，并具备ECC（错误校正码）功能，以确保数据的完整性。此外，该芯片还支持坏块管理，允许系统在运行过程中动态跳过不可用的存储块，从而延长设备的使用寿命。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，适合便携式设备和空间受限的应用场景。HY27UU08BG2M-TPCB在设计上兼顾了成本与性能，是中低端嵌入式系统的理想选择。
　　此外，该芯片的读写速度较高，支持快速数据存取，适合用于需要频繁写入和读取的应用，如日志记录、固件更新等。其耐用性也较为出色，支持数千次的擦写周期，适用于中等负载的存储任务。同时，该芯片具备低功耗特性，在待机模式下功耗极低，非常适合对能耗敏感的电池供电设备。

HY27UU08BG2M-TPCB广泛应用于各类嵌入式系统和便携式电子设备中。常见的应用包括U盘、SD卡、eMMC模块、机顶盒、数码相机、MP3播放器、车载导航系统以及工业控制设备。由于其支持多种电压和接口标准，因此能够灵活适配不同的主控芯片和系统架构。在消费类电子产品中，它被广泛用于存储操作系统、应用程序和用户数据。在工业控制领域，该芯片可用于存储配置信息、日志数据和固件更新。此外，由于其具备较高的耐用性和稳定性，也可用于车载系统和安防设备中的数据记录应用。

K9F2G08U0C-PCB0, K9F2G08U0A-PCB0, TC58NVG2S0HFT00, MT29F2G08ABAEAWP