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HY27UT088G2M 发布时间 时间:2025/9/2 9:45:12 查看 阅读:12

HY27UT088G2M是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,广泛用于嵌入式系统、存储设备以及需要非易失性存储的应用场景。该芯片属于8-bit NAND闪存产品系列,具有高存储密度、低功耗和高可靠性等特点。

参数

型号:HY27UT088G2M
  容量:8 Gbit
  组织结构:1块 x 8 Gbit
  工艺制程:未知
  电压范围:2.7V - 3.6V
  接口类型:8-bit NAND
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

HY27UT088G2M是一款针对嵌入式应用优化的NAND闪存芯片,具备较高的存储容量和稳定性。该芯片采用标准的8-bit NAND接口,支持高速数据读写操作,适用于多种嵌入式设备,如智能手机、平板电脑和工业控制系统。
  其主要特性包括低功耗设计、宽电压工作范围(2.7V至3.6V),能够在不同环境下稳定运行。此外,芯片支持标准的NAND闪存命令集,兼容多种控制器,便于系统集成和开发。
  该NAND闪存芯片还具备良好的耐用性和数据保持能力,确保长期存储的数据不会丢失。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提供良好的散热性能,适用于对空间和功耗敏感的应用场景。

应用

HY27UT088G2M常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如移动设备(如智能手机和平板电脑)、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品以及数据存储模块。由于其高可靠性和广泛的兼容性,该芯片也适用于需要长时间运行和数据存储稳定性的工业级应用。

替代型号

K9F5608U0D, TC58NVG0S3E, MT29F8G08ABAF

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