时间：2025/9/2 9:45:12
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HY27UT088G2M是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，广泛用于嵌入式系统、存储设备以及需要非易失性存储的应用场景。该芯片属于8-bit NAND闪存产品系列，具有高存储密度、低功耗和高可靠性等特点。
型号：HY27UT088G2M
容量：8 Gbit
组织结构：1块 x 8 Gbit
工艺制程：未知
电压范围：2.7V - 3.6V
接口类型：8-bit NAND
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HY27UT088G2M是一款针对嵌入式应用优化的NAND闪存芯片，具备较高的存储容量和稳定性。该芯片采用标准的8-bit NAND接口，支持高速数据读写操作，适用于多种嵌入式设备，如智能手机、平板电脑和工业控制系统。
其主要特性包括低功耗设计、宽电压工作范围（2.7V至3.6V），能够在不同环境下稳定运行。此外，芯片支持标准的NAND闪存命令集，兼容多种控制器，便于系统集成和开发。
该NAND闪存芯片还具备良好的耐用性和数据保持能力，确保长期存储的数据不会丢失。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能，适用于对空间和功耗敏感的应用场景。
HY27UT088G2M常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中，例如移动设备（如智能手机和平板电脑）、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品以及数据存储模块。由于其高可靠性和广泛的兼容性，该芯片也适用于需要长时间运行和数据存储稳定性的工业级应用。
K9F5608U0D, TC58NVG0S3E, MT29F8G08ABAF
