型号：2SK2640-01
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：3.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@ Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：370pF @ Vds=10V
　　输出电容（Coss）：110pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ Vds=10V
　　栅极电荷（Qg）：7.5nC @ Vds=10V
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C

2SK2640-01具备出色的开关性能和低导通电阻特性，这使其在高频开关电源中表现出色。其低Rds(on)确保了在导通状态下能量损耗最小化，从而提高电源转换效率并减少发热问题。该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量较少，有利于降低驱动损耗，特别适合用于由控制器或逻辑IC直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET采用了优化的芯片设计，在保持低导通电阻的同时，也实现了良好的电容匹配，有效减少了米勒效应带来的不必要的振荡和误触发风险。输入电容和反向传输电容较小，有助于提升高频工作的稳定性，并减少开关过程中的电磁干扰（EMI）。此外，其SOT-23封装具有较小的寄生电感和电容，进一步增强了高速开关能力。
　　2SK2640-01还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其最大工作结温可达+150°C，符合工业级和消费类电子产品的严苛要求。器件经过严格的质量控制流程生产，具有高可靠性和长寿命，适用于自动化贴片生产线，支持回流焊工艺。
　　另外，该MOSFET对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，虽然仍需在使用过程中采取适当的防静电措施，但其内部结构已做了相应优化以增强耐用性。总体而言，2SK2640-01是一款集高性能、小尺寸、高可靠性于一体的N沟道MOSFET，非常适合用于现代便携式电子设备中的功率管理模块。

2SK2640-01广泛应用于各类低电压、高效率的开关电源系统中，如便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，用于为处理器、传感器、显示屏等提供稳定电源。它也被用于电池供电设备的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，其中对空间和功耗有严格限制。
　　此外，该器件常用于负载开关电路，实现对不同功能模块的上电和断电控制，以达到节能目的。在热插拔电路中，2SK2640-01可用于限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。其快速开关响应能力也使其适用于脉宽调制（PWM）控制的LED背光驱动电路，实现亮度精确调节。
　　在电机控制方面，尽管其功率等级不高，但在微型直流电机或振动马达的驱动电路中仍可发挥作用，尤其是在手持设备中用于触觉反馈的小型马达控制。同时，该MOSFET也可作为通用开关元件用于信号切换、电源多路复用以及逆变器拓扑结构中的同步整流环节。
　　由于其SOT-23封装体积小巧，2SK2640-01特别适合高度集成的PCB布局，有助于缩小产品整体尺寸，满足现代电子产品轻薄化趋势的需求。因此，它在消费电子、工业控制、医疗设备及物联网终端等领域均有广泛应用。

2SK3018-01LZ,FDS6670A,DMG2305U,MCH3314