时间：2025/8/9 19:47:32
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2SK2645-01MR是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。这款MOSFET设计用于高频率开关应用，具备低导通电阻、高耐压和大电流承载能力等特点。2SK2645-01MR采用小型封装形式，适合空间受限的应用场景，是电源转换器、电机驱动和电池管理系统等领域的理想选择。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：3.5mΩ（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220SM(W)
2SK2645-01MR具有低导通电阻（RDS(ON)），有效降低导通损耗，提高电源转换效率。
该器件具备较高的电流承载能力，最大漏极电流可达60A，适用于高功率应用场景。
其高耐压特性允许在高压环境下稳定工作，漏-源电压最大可达60V。
采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现更高的性能和可靠性。
小型封装设计节省空间，适合紧凑型电子设备的设计与应用。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。
2SK2645-01MR广泛应用于各类电力电子设备，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。
在电池管理系统中，它可作为高效率的功率开关，优化电池充放电过程。
同时，该器件也适用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的功率控制模块。
在电源管理系统中，2SK2645-01MR可用于高频率开关操作，提高整体系统的能效。
由于其优异的热特性和高可靠性，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器和电动车辆的电机驱动器。
2SK2645-01MR的替代型号包括2SK2645-01L和2SK2645-01S，这些型号在性能和封装上与原型号相似，可根据具体需求进行选择。
