存储容量：8GB
　　工艺技术：2Ynm（约20nm）
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　页面大小：4KB
　　块大小：128KB
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除时间：1.5ms/块
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　可靠性：10万次编程/擦除周期
　　数据保留时间：10年

HY27UT088G2M-PCB 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备良好的读写性能和可靠性。其采用先进的2Ynm制造工艺，使得芯片在保持高性能的同时，功耗更低，适合对功耗敏感的应用场景。该芯片支持ONFI 1.0标准接口，确保了与其他存储控制器的兼容性，简化了系统设计。
　　在数据存储方面，HY27UT088G2M-PCB 提供了较大的页面大小（4KB）和块大小（128KB），有助于提高数据写入和擦除效率。其读取速度可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，满足大多数嵌入式系统和便携式设备的性能需求。
　　此外，该芯片具有较强的耐用性，支持高达10万次的编程/擦除周期，确保了长期使用的稳定性。其数据保留能力可达10年以上，适合用于需要长期存储数据的应用。工作温度范围为0°C至+70°C，适用于一般的工业和消费类电子设备。

HY27UT088G2M-PCB 主要应用于需要大容量非易失性存储的各类电子设备中。例如，它常用于制造USB闪存盘、SD卡、CF卡等存储介质；也可用于嵌入式系统中的固态存储模块，如工业控制设备、智能家电、车载导航系统等；此外，该芯片还可用于便携式数码产品，如MP3播放器、数码相机、电子书阅读器等设备中，提供可靠的数据存储方案。

HY27UF084G2M-PCB, HY27US0858G2M-PCB