类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.38Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DP）

CS10N06AEDP-G具备多项优良特性，包括低导通电阻、高电流能力和优异的开关性能。其低RDS(on)值确保了在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有快速开关速度，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、同步整流和电机控制。器件的TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。CS10N06AEDP-G还具备较高的耐用性和稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的MOSFET驱动电路。其高击穿电压（60V）使其适用于多种中低压功率转换应用。此外，CS10N06AEDP-G在设计上考虑了热保护和过载能力，使其在极端条件下也能保持稳定运行。

CS10N06AEDP-G广泛应用于多种功率电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动电路以及电动工具等应用。由于其良好的热性能和可靠性，CS10N06AEDP-G也常用于需要长时间运行的工业和消费类电子产品中。

SiA4412BDJ-E3, FDD8882, NTD10N06L-D, IRFZ44N