HY27UT084G2M 时间：2025/9/2 2:13:29 阅读：24

HY27UT084G2M 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款NAND闪存芯片，广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、存储卡等领域。该芯片具有4GB的存储容量，采用8位并行接口，支持高性能数据读写操作。HY27UT084G2M 属于SLC（Single-Level Cell）NAND闪存技术，具有较高的可靠性和较长的擦写寿命。

参数

容量：4GB
　　接口类型：8位并行NAND接口
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP
　　页面大小：512字节 + 16字节（OOB）
　　块大小：32KB（64页/块）
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除速度：最大2ms/块
　　擦写次数：约100,000次

特性

HY27UT084G2M 采用SLC NAND技术，每个存储单元仅存储1位数据，因此具有更高的数据完整性和更长的使用寿命，适用于对可靠性要求较高的工业级应用。
　　该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测并纠正单比特错误，提高系统的稳定性。
　　其低功耗设计使其适用于电池供电设备，同时具备较强的抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。
　　封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在紧凑型电子设备中集成。
　　此外，HY27UT084G2M 支持坏块管理，可以在出厂时或使用过程中标记不可靠的存储块，从而提高整体存储可靠性。

应用

HY27UT084G2M 主要应用于工业控制设备、医疗设备、车载系统、数据采集设备、条码扫描器、POS终端、嵌入式存储系统等需要高可靠性和长期稳定性的场景。
　　由于其SLC NAND架构的特性，特别适合需要频繁写入和读取操作的系统，例如日志记录、固件存储、小型数据库等。
　　此外，该芯片也常用于工业级SSD模块的主控搭配，作为缓存或小型固态存储单元使用。
　　在嵌入式系统中，HY27UT084G2M 可作为启动存储器（Boot Memory）使用，支持系统快速启动和稳定运行。