HY27UT084G2M 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款NAND闪存芯片,广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡等领域。该芯片具有4GB的存储容量,采用8位并行接口,支持高性能数据读写操作。HY27UT084G2M 属于SLC(Single-Level Cell)NAND闪存技术,具有较高的可靠性和较长的擦写寿命。
容量:4GB
接口类型:8位并行NAND接口
电压范围:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:TSOP
页面大小:512字节 + 16字节(OOB)
块大小:32KB(64页/块)
读取速度:最高50MB/s
写入速度:最高20MB/s
擦除速度:最大2ms/块
擦写次数:约100,000次
HY27UT084G2M 采用SLC NAND技术,每个存储单元仅存储1位数据,因此具有更高的数据完整性和更长的使用寿命,适用于对可靠性要求较高的工业级应用。
该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测并纠正单比特错误,提高系统的稳定性。
其低功耗设计使其适用于电池供电设备,同时具备较强的抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用。
封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于在紧凑型电子设备中集成。
此外,HY27UT084G2M 支持坏块管理,可以在出厂时或使用过程中标记不可靠的存储块,从而提高整体存储可靠性。
HY27UT084G2M 主要应用于工业控制设备、医疗设备、车载系统、数据采集设备、条码扫描器、POS终端、嵌入式存储系统等需要高可靠性和长期稳定性的场景。
由于其SLC NAND架构的特性,特别适合需要频繁写入和读取操作的系统,例如日志记录、固件存储、小型数据库等。
此外,该芯片也常用于工业级SSD模块的主控搭配,作为缓存或小型固态存储单元使用。
在嵌入式系统中,HY27UT084G2M 可作为启动存储器(Boot Memory)使用,支持系统快速启动和稳定运行。
K9F5608U0D, NAND512R4A0BNZ, TC58NVG0S3ETA00