时间：2025/9/2 11:19:22
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HY27UT084G2M-TPCB是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片，广泛用于嵌入式系统和存储设备中。这款芯片属于8GB容量级别的NAND闪存，适用于需要高可靠性和高性能存储的应用场景。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适合嵌入在各种便携式电子设备中。
容量：8GB
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
数据传输速率：支持高达50MB/s的读取速度
擦写寿命：10,000次擦写周期
存储温度范围：-40°C至+85°C
工作温度范围：-40°C至+85°C
HY27UT084G2M-TPCB具备较高的耐用性和稳定性，支持ECC（错误校正码）功能，能够有效检测和纠正数据错误，从而提高数据存储的可靠性。
该芯片采用NAND闪存技术，具有非易失性存储特性，即使在断电情况下也能保持数据完整性。
支持页编程和块擦除操作，允许高效的数据写入和删除操作，适合需要频繁更新数据的应用场景。
该芯片还具备较低的功耗特性，适合用于电池供电设备，有助于延长设备的使用时间。
采用ONFI 2.3接口标准，兼容性强，可以与多种主控芯片配合使用，提高设计的灵活性。
HY27UT084G2M-TPCB常用于各种嵌入式系统和消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、数码相机和便携式媒体播放器等。
由于其高可靠性和低功耗特性，该芯片也适用于工业自动化设备、医疗设备和车载电子系统等对存储性能要求较高的领域。
在嵌入式系统中，该芯片可用于存储操作系统、应用程序和用户数据，提供稳定可靠的存储解决方案。
此外，HY27UT084G2M-TPCB还可用于数据记录设备和物联网（IoT）设备，支持设备的长期稳定运行。
K9F8G08U0D-PIB0, TC58NVG1S3HTA00
