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GA1206Y123JXLBR31G 发布时间 时间:2025/5/27 16:50:35 查看 阅读:10

GA1206Y123JXLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,从而实现更高的效率和更小的热量损耗。
  其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适合在高功率密度的应用环境中使用。

参数

型号:GA1206Y123JXLBR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.4Ω
  总功耗(Ptot):180W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y123JXLBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高耐压能力,能够承受高达650V的漏源电压,适用于高压应用场景。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,提高高频应用性能。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在高温环境下保持可靠运行。
  5. 封装采用标准的TO-220形式,便于安装和散热设计。
  6. 符合RoHS环保标准,支持绿色制造理念。
  这些特性使得该芯片成为多种工业和消费类电子设备的理想选择。

应用

GA1206Y123JXLBR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器和逆变器。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信电源系统。
  3. 电机驱动控制,例如家用电器中的风扇和泵控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. LED驱动器和照明系统中的功率管理。
  由于其优异的性能和可靠性,这款芯片在高功率密度和高效能需求的应用中表现出色。

替代型号

IRF540N
  STP12NM60
  FQP13N60

GA1206Y123JXLBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-