型号：HY27US16121B-TPCB
　　容量：16 Gb（256 MB）
　　工艺技术：NAND Flash
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：并行 NAND 接口
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：52-pin
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　读取速度：最大 50 ns
　　写入速度：最大 50 ns
　　擦除速度：最大 2 ms
　　数据保持时间：10年
　　编程/擦除周期：10万次

HY27US16121B-TPCB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，广泛用于嵌入式存储系统和消费类电子产品。该芯片具备16 Gb的存储容量，适合用于需要大容量数据存储的场景，如SD卡、U盘、MP3播放器和数码相机等。
　　其工作电压范围为2.7V至3.6V，支持宽电压操作，适应不同的电源管理方案。芯片内部采用并行NAND接口，允许快速的数据读写操作，最大读写速度可达50 ns，适用于中高端嵌入式控制系统和主控芯片搭配使用。
　　此外，该芯片具备较高的耐用性，支持高达10万次的编程/擦除周期，确保在频繁写入环境下的稳定性和可靠性。数据保持时间长达10年，即使在断电情况下也能长时间保存数据。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业环境和消费类设备中使用。
　　该芯片采用52引脚TSOP封装，体积小巧，便于集成在紧凑的PCB设计中。其封装形式也便于自动化生产和焊接，提升了制造效率和可靠性。对于需要大容量非易失性存储器的应用来说，HY27US16121B-TPCB 是一个性价比高且稳定的选择。

HY27US16121B-TPCB 主要应用于需要大容量非易失性存储的设备中，如USB闪存盘、SD/MMC存储卡、数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等消费类电子产品。此外，它也常用于工业控制系统、嵌入式设备、数据采集系统以及固态硬盘（SSD）中作为原始存储介质。其宽电压和宽温工作范围使其适用于各种恶劣环境下的电子设备。

K9F1G08U0D-PCB0, TC58NVG0S3ETA00, MT29F1G08ABBEAH4-12