时间：2025/8/25 7:46:51
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FDC6329L_NL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于电源管理和负载开关应用。该器件采用紧凑的DFN5×6封装，适合空间受限的设计。
类型：功率MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：8.7A
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN5×6
FDC6329L_NL采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，显著降低了导通电阻，提高了效率。其RDS(on)仅为17mΩ，能够在高电流条件下保持较低的功耗，减少发热，提高系统稳定性。该器件的高栅极电压耐受能力达到20V，支持更灵活的驱动设计。
此外，FDC6329L_NL具有快速开关能力，适合用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。其DFN5×6封装具备优良的热性能，有助于快速散热，提高器件的可靠性。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高环境温度下稳定工作。其双N沟道结构设计使得它可以同时控制两个独立的负载，适用于多路电源管理应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。
FDC6329L_NL广泛应用于电源管理系统，如笔记本电脑、平板电脑、服务器和工业控制设备中的DC-DC转换器和负载开关。其高效率和紧凑封装使其非常适合空间受限的便携式设备设计。此外，该器件还可用于电机驱动、电池管理系统和电源管理单元（PMU）中。
FDC6329L, FDS6680, Si4435DY, IPD65R900C6
