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HY27US08561M-TPIP 发布时间 时间:2025/9/1 14:49:13 查看 阅读:6

HY27US08561M-TPIP 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片广泛应用于嵌入式系统、存储设备和移动设备中,具有较高的存储密度和可靠性。这款NAND闪存芯片的容量为512MB,采用8位宽的I/O接口设计,支持高速数据读写操作。

参数

容量:512MB
  电压范围:2.7V - 3.6V
  接口类型:8位并行I/O接口
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  页面大小:2KB
  块大小:128KB
  平均故障间隔时间(MTBF):100,000小时

特性

HY27US08561M-TPIP是一款专为高性能和高可靠性设计的NAND闪存芯片。该芯片支持高速读写操作,适合用于对存储速度有较高要求的应用场景。其8位并行I/O接口能够有效提升数据传输效率,同时支持ECC(错误校正码)功能,以提高数据存储的可靠性。
  这款NAND闪存芯片采用TSOP封装技术,具有良好的热稳定性和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种环境条件下都能稳定运行。此外,该芯片内置坏块管理功能,能够自动检测并跳过坏块,从而延长使用寿命并提高数据完整性。
  HY27US08561M-TPIP的页面大小为2KB,块大小为128KB,这种设计使得芯片在进行数据擦除和写入操作时更加高效。同时,该芯片支持低功耗模式,有助于延长便携式设备的电池续航时间。

应用

HY27US08561M-TPIP NAND闪存芯片广泛应用于各种嵌入式系统和存储设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器、固态硬盘(SSD)控制器测试板以及工业控制设备。由于其高性能和高可靠性,这款芯片也常被用于汽车电子系统和医疗设备中。

替代型号

K9F5608U0D-SIB0,Y29V512GJTBBE2B

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