HY27US08281A-TP 是一款由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的 NAND 闪存芯片,广泛用于嵌入式系统和存储设备中。该芯片属于小型封装的 NAND 闪存器件,适合用于便携式电子设备、工业控制系统和消费类电子产品。
存储容量:1GBit
组织结构:128K x 8 位 x 8 页
电压范围:2.7V - 3.6V
接口类型:并行 NAND 接口
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HY27US08281A-TP 的主要特性之一是其低功耗设计,适用于电池供电设备和便携式电子产品。
该芯片支持高速数据读写操作,提供高效的存储性能。
其 NAND 闪存架构支持大容量数据存储,并具备较高的耐用性和数据保留能力。
此外,该芯片采用了先进的 CMOS 技术,确保了稳定性和可靠性。
内置的错误检测和纠正功能增强了数据完整性,适用于对数据可靠性要求较高的应用。
该芯片还支持多种操作模式,包括读取、写入、擦除和待机模式,提供了灵活的使用方式。
HY27US08281A-TP 主要应用于嵌入式系统,如工业控制设备、便携式 GPS 设备、手持终端和智能卡读写器。
它也常用于消费类电子产品,例如数码相机、MP3 播放器和电子书阅读器等设备中的存储模块。
在通信设备中,该芯片可用于存储固件、配置数据和用户数据。
由于其小尺寸和低功耗特性,它非常适合用于空间受限和电池供电的应用场景。
此外,该芯片还可用于医疗设备、汽车电子系统和安防监控设备中的数据存储需求。
HY27UF08281A-TP, K9F1G08U0A-PCB0, MT29F1G08ABAEAWP