时间：2025/9/2 6:07:21
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HY27US08121B-TPCBDR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款NAND闪存芯片，广泛应用于嵌入式系统、存储卡和固态硬盘等设备中。该芯片具有8位数据总线宽度，支持高速数据读写操作，适用于需要大容量存储和高性能数据处理的场景。
制造商：SK Hynix Semiconductor
类型：NAND Flash
容量：128MB
组织结构：8位
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
电源电压：2.7V至3.6V
接口类型：并行
读取时间：最大70ns
编程时间：最大200μs/页
擦除时间：最大2ms/块
HY27US08121B-TPCBDR 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有多种优良特性。首先，其8位并行接口设计使得数据传输速率较高，适用于对速度有一定要求的应用场景。其次，该芯片支持低功耗模式，能够在待机或非活跃状态下有效降低功耗，适用于便携式设备和电池供电系统。
此外，HY27US08121B-TPCBDR 采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行。该芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中检测和纠正错误，提高数据存储的可靠性和稳定性。
在使用寿命方面，HY27US08121B-TPCBDR 支持较高的编程/擦除周期，通常可达10万次以上，适用于频繁写入和擦除的应用环境。同时，该芯片具备良好的数据保持能力，在未通电状态下可保持数据长达10年，确保数据的长期安全性。
最后，该NAND闪存芯片广泛应用于多种存储设备，如嵌入式系统、USB闪存盘、SD卡、CF卡以及固态硬盘（SSD）等，具备良好的兼容性和市场支持。
HY27US08121B-TPCBDR 主要应用于各种需要大容量存储和高效数据管理的电子设备中。常见的应用包括嵌入式系统、存储卡（如SD卡、CF卡）、USB闪存驱动器、工业控制系统、便携式消费电子产品以及固态硬盘（SSD）等。其低功耗特性和宽温工作范围使其特别适用于工业环境和恶劣条件下的设备存储解决方案。
K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG2S0HFT00, NAND08GW3B2CN6E
