HY27US08121A 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,广泛用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡和各种需要非易失性存储的电子设备中。这款芯片属于消费级和工业级应用的主流存储解决方案之一。HY27US08121A 具有较大的存储容量、较快的读写速度以及良好的耐用性和可靠性,适用于多种电子设备和存储模块。
容量:128MB
电压范围:2.7V - 3.6V
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
接口类型:ONFI 1.0兼容
读取速度:最大50MB/s
写入速度:最大20MB/s
擦除速度:最大2ms(块)
块大小:16KB + 512B
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)或0°C至70°C(商业级)
封装尺寸:48引脚
HY27US08121A 是一款基于NAND闪存技术的非易失性存储芯片,具备较高的存储密度和较长的使用寿命。其主要特性之一是支持ONFI(Open NAND Flash Interface)标准,这使得它能够兼容多种控制器和主控平台,便于在不同的系统中进行集成。此外,该芯片具有较低的功耗设计,适合用于便携式设备和低功耗应用场景。
这款NAND闪存芯片采用TSOP封装形式,具有良好的热稳定性和机械稳定性,能够在工业级温度范围内正常工作,适用于严苛的环境条件。其擦写寿命通常可达10万次以上,确保了长期使用的可靠性。
HY27US08121A 支持页编程和块擦除操作,页大小为512字节,块大小为16KB加512字节的备用区域(spare area),可用于存储ECC(错误校正码)信息或其他元数据。该芯片内置坏块管理机制,允许系统在出厂时标记不可靠的块,从而提高整体的存储可靠性。
由于其较高的性价比和广泛的兼容性,HY27US08121A 被广泛应用于消费电子、车载系统、工业控制、通信设备和嵌入式系统等领域。
HY27US08121A 主要用于需要中等容量非易失性存储的场合,例如:
? 存储卡(如CF卡、SD卡等)
? USB闪存盘
? 工业控制设备中的固态存储
? 车载导航系统和行车记录仪
? 数码相机和摄像机
? 嵌入式系统和单片机开发板
? 网络通信设备中的固件存储
? 医疗设备和测试仪器
? 安防监控系统
该芯片特别适合那些需要稳定存储、中等容量和高可靠性的工业和消费类应用。
HY27US08561M
K9F1208U0B
TC58NVG2S0E
S34ML01G100BHI000