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HY27US08121A-TPCB 发布时间 时间:2025/4/25 14:23:30 查看 阅读:9

HY27US08121A-TPCB是由Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片主要应用于嵌入式系统、消费类电子设备以及数据存储领域,提供大容量的非易失性存储解决方案。
  这款芯片采用先进的制造工艺,具有高可靠性、快速读写速度和低功耗的特点,广泛用于需要高效数据存储和管理的应用场景。

参数

容量:1Gb
  接口类型:8位NAND Flash接口
  工作电压Vcc:2.7V~3.6V
  工作电压VccQ:1.7V~1.9V
  封装形式:TSOP48
  数据保留时间:10年
  擦写次数:100,000次
  工作温度范围:-40℃~+85℃

特性

HY27US08121A-TPCB具备以下显著特性:
  1. 高密度存储:单颗芯片容量达到1Gb,适合需要较大存储空间的应用。
  2. 快速性能:支持高速读写操作,满足现代设备对数据传输速率的要求。
  3. 低功耗设计:在待机和工作状态下均保持较低的功耗水平,延长电池寿命。
  4. 稳定可靠:经过严格的测试与验证,确保在各种环境下都能稳定运行。
  5. 小型化封装:采用TSOP48封装,节省PCB板空间,便于集成到紧凑型设计中。

应用

HY27US08121A-TPCB适用于多种电子设备和系统,包括但不限于:
  1. 消费类电子产品:如数码相机、MP3播放器、便携式媒体播放器等。
  2. 嵌入式系统:工业控制、网络通信设备、物联网终端等。
  3. 数据记录设备:行车记录仪、监控摄像头等需要长时间存储数据的设备。
  4. 手持设备:智能手机、平板电脑等移动终端的辅助存储单元。

替代型号

HY27US08421A-TPCB
  K9F5608U0C-TCK0
  MT29F1G08AACWP

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HY27US08121A-TPCB参数

  • 封装类型:TSOP
  • 针脚数:48
  • 分区尺寸:16Kbit
  • 器件标号:27
  • 存储器容量:512Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3.3V
  • 存???器类型:Flash, NAND
  • 存储器配置:64M x 8b
  • 封装类型:TSOP
  • 工作温度敏:0°C
  • 工作温度最高:70°C
  • 接口类型:Serial
  • 每页:512Byte
  • 温度范围:商用
  • 电压, Vcc:3.3V
  • 电源电压 最大:3.6V
  • 电源电压 最小:2.7V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 读写周期:2
  • 读周期 tRC:50ns
  • 逻辑功能号:HY27US08121