HY27US08121A-TCB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片。该芯片属于8位宽的NAND闪存类型,主要用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、U盘、SD卡等需要高存储密度和快速数据访问的设备。该芯片采用小型封装设计,适合对空间要求较高的应用。其容量为1GB,支持常见的NAND闪存接口,并具备较高的耐用性和可靠性。
型号:HY27US08121A-TCB
类型:NAND Flash
容量:1 Gbit(128 MB)
数据总线宽度:8位
封装类型:TSOP
工作电压:2.7V - 3.6V
接口:NAND 接口(支持8位数据总线)
擦写周期:10,000次(典型)
数据保存时间:10年
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HY27US08121A-TCB 是一款具有高可靠性和高稳定性的NAND闪存芯片,适用于多种嵌入式和存储应用。该芯片采用8位并行接口,数据读写速度较快,适合用于需要中等容量存储的系统。其工作电压范围为2.7V至3.6V,使其适用于多种电源环境,并具备较好的抗干扰能力。
该芯片的擦写周期可达10,000次,表明其具备良好的耐用性,适用于频繁写入的应用场景。此外,该芯片的数据保持时间长达10年,即使在断电情况下也能保证数据的长期存储。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在工业级环境下使用,确保在各种温度条件下稳定运行。
HY27US08121A-TCB采用TSOP封装形式,尺寸小巧,便于集成在紧凑型电子设备中。这种封装方式也提供了良好的电气性能和热稳定性,适合用于高密度PCB布局的设计。由于其成熟的设计和广泛的应用,该芯片在嵌入式系统、数据存储设备以及消费类电子产品中均有广泛应用。
该芯片主要应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、U盘、SD卡、MP3播放器、数码相机、工业控制系统、数据采集设备等。由于其具有较高的可靠性和稳定性,HY27US08121A-TCB也常用于工业自动化设备、车载电子系统以及通信设备中的数据存储模块。其8位并行接口设计使其易于与各种主控芯片连接,适合用于需要较大存储容量但空间受限的设备。
K9F1G08U0B-PCB0, NAND512W3A2B4E, MT29F1G08ABBDA