容量：4GB
　　电压范围：1.8V/3.3V
　　接口类型：ONFI 2.0
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约1.5ms
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　存储结构：27nm工艺制造
　　支持ECC纠错功能
　　

HY27UH164G2M-TPIB 是一款高性能、高可靠性的NAND闪存芯片，具备多种先进的技术特性。首先，其支持ONFI 2.0接口标准，使得与主控芯片之间的数据传输更加高效，提高了整体系统性能。此外，该芯片采用了先进的27nm制造工艺，这不仅提高了存储密度，还降低了单位存储成本，同时在一定程度上提升了芯片的功耗控制能力。
　　该芯片的读取速度可达到50MB/s，写入速度约为20MB/s，适用于需要中等至高性能数据吞吐量的应用场景。块擦除操作的时间仅为约1.5ms，显著提高了存储管理效率。HY27UH164G2M-TPIB 还支持内置的错误校正码（ECC）功能，能够在数据读写过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据完整性与存储可靠性，延长闪存的使用寿命。
　　这款芯片支持宽电压范围供电（1.8V 和 3.3V），使其能够适应多种电源管理方案，提高了在不同应用环境中的兼容性。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的封装尺寸和良好的热稳定性，适用于空间受限的嵌入式设备或手持设备中。
　　此外，HY27UH164G2M-TPIB 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够满足工业级环境下的稳定运行需求，适用于高温或低温极端环境下工作的设备。

HY27UH164G2M-TPIB NAND闪存芯片适用于多种需要中高容量非易失性存储的电子设备和系统。由于其高性能、高可靠性和宽工作温度范围，它广泛应用于固态硬盘（SSD）、工业控制设备、车载电子系统、医疗设备、嵌入式计算机、智能卡终端、网络设备、通信模块以及高端消费类电子产品如平板电脑、数码相机和高性能U盘等。
　　在固态硬盘领域，HY27UH164G2M-TPIB 可作为主存储介质，为用户提供稳定且成本效益高的存储解决方案。在工业控制设备中，其宽温特性和高可靠性使其能够在恶劣环境下稳定运行。在车载系统中，它可以用于存储导航数据、行车记录或车载娱乐内容。医疗设备则可以利用其高可靠性和低功耗特性进行数据存储与处理。此外，在嵌入式系统和智能终端设备中，该芯片能够满足对存储容量和性能的基本需求，同时支持快速启动和高效的数据管理。

K9WAG08U1A-PIB0, TC58NVG2S0HRAIG, MT29F4G08ABADA