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HY27UH084G2M 发布时间 时间:2025/9/1 22:50:52 查看 阅读:9

HY27UH084G2M 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件,广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中,如固态硬盘(SSD)、USB存储设备、嵌入式系统等。该型号为TSOP封装,适合工业级和消费类电子产品使用。

参数

型号: HY27UH084G2M
  存储类型: NAND Flash
  容量: 4GB
  位宽: x8
  电压: 3.3V
  封装类型: TSOP
  工作温度范围: -40°C ~ +85°C(工业级)
  接口类型: ONFI 1.0兼容
  擦写周期: 10万次(典型)
  数据保留时间: 10年

特性

HY27UH084G2M NAND闪存芯片具备出色的存储性能和稳定性。其x8位宽设计支持较高的数据传输速率,适用于多种嵌入式存储解决方案。该芯片支持ONFI 1.0标准接口,简化了与主控芯片之间的通信,提高了系统的兼容性和集成度。
  此外,该芯片具备良好的耐用性和数据保持能力,能够在严苛的环境条件下稳定运行。其10万次擦写周期和10年数据保留时间使其适用于需要频繁读写操作的应用场景,如工业控制系统、车载电子设备和消费类电子产品。
  低功耗设计也是该芯片的一大亮点,适合对能耗敏感的便携式设备。同时,其工业级温度范围(-40°C ~ +85°C)确保了在各种环境下的可靠运行。

应用

HY27UH084G2M 常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统和消费电子产品中。典型应用包括固态硬盘(SSD)、USB存储设备、数码相机、MP3播放器、工业控制设备以及车载娱乐系统等。由于其高可靠性和宽温工作范围,也广泛应用于工业自动化和汽车电子领域。

替代型号

K9F4G08U0C, NAND4G-S3AB, TC58NVG2S0H

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