时间：2025/9/1 22:50:52
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HY27UH084G2M 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储器件，广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中，如固态硬盘（SSD）、USB存储设备、嵌入式系统等。该型号为TSOP封装，适合工业级和消费类电子产品使用。
型号: HY27UH084G2M
存储类型: NAND Flash
容量: 4GB
位宽: x8
电压: 3.3V
封装类型: TSOP
工作温度范围: -40°C ~ +85°C（工业级）
接口类型: ONFI 1.0兼容
擦写周期: 10万次（典型）
数据保留时间: 10年
HY27UH084G2M NAND闪存芯片具备出色的存储性能和稳定性。其x8位宽设计支持较高的数据传输速率，适用于多种嵌入式存储解决方案。该芯片支持ONFI 1.0标准接口，简化了与主控芯片之间的通信，提高了系统的兼容性和集成度。
此外，该芯片具备良好的耐用性和数据保持能力，能够在严苛的环境条件下稳定运行。其10万次擦写周期和10年数据保留时间使其适用于需要频繁读写操作的应用场景，如工业控制系统、车载电子设备和消费类电子产品。
低功耗设计也是该芯片的一大亮点，适合对能耗敏感的便携式设备。同时，其工业级温度范围（-40°C ~ +85°C）确保了在各种环境下的可靠运行。
HY27UH084G2M 常用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统和消费电子产品中。典型应用包括固态硬盘（SSD）、USB存储设备、数码相机、MP3播放器、工业控制设备以及车载娱乐系统等。由于其高可靠性和宽温工作范围，也广泛应用于工业自动化和汽车电子领域。
K9F4G08U0C, NAND4G-S3AB, TC58NVG2S0H
