时间：2025/9/1 20:48:58
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HY27UG088G5M-TPCD 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片。该芯片具有较大的存储容量，适用于需要高可靠性和高性能的存储应用。NAND闪存因其快速的读写速度和较长的使用寿命而被广泛应用于各种电子设备中。
容量：8GB
电压：2.7V - 3.6V
接口类型：并行NAND接口
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作温度范围：-40°C至+85°C
页面大小：2KB
块大小：128KB
擦除时间：典型值为2ms
读取访问时间：最大70ns
编程时间：典型值为200μs
HY27UG088G5M-TPCD是一款高性能的NAND闪存芯片，具备较高的存储密度和较长的使用寿命。该芯片支持高速读写操作，适用于需要大量数据存储和频繁读写的应用场景。此外，该芯片具备良好的耐用性和可靠性，能够在各种恶劣环境下稳定工作。其TSOP封装形式使得该芯片非常适合用于空间受限的应用。NAND闪存芯片的另一个显著优点是其较低的功耗，这使得它在便携式设备和低功耗应用中表现出色。该芯片还支持多种错误校正和磨损均衡技术，以提高数据完整性和存储寿命。
HY27UG088G5M-TPCD广泛应用于需要大容量存储和高性能读写能力的设备中，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、数码相机、USB闪存盘、嵌入式系统和工业控制设备等。由于其高可靠性和低功耗特性，该芯片也适用于车载电子系统和医疗设备等对稳定性要求较高的应用。
K9F8G08U0A-PCB0, MT29F8G08AAA-PCB
