容量：8GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：并行 NAND 接口
　　数据总线宽度：8位
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约为2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）

HY27UF084G2M-TPIB 采用先进的NAND闪存技术，具备较高的存储密度与较长的使用寿命，支持ECC（错误校正码）功能以确保数据完整性。该芯片支持页编程和块擦除操作，适用于高频率读写操作的应用场景。其低功耗设计和宽温度范围使其非常适合用于移动设备和工业级产品中。
　　此外，HY27UF084G2M-TPIB 提供了较高的耐用性，支持10万次以上的擦写周期，并内置了坏块管理功能，能够在出厂时标识出可能存在的缺陷存储区域，从而提高整体系统的可靠性。该芯片还支持低电压自动检测功能，确保在电源不稳定的情况下不会发生数据损坏或误写入。
　　在接口方面，HY27UF084G2M-TPIB 使用标准的并行NAND接口，兼容大多数嵌入式控制器，方便系统集成和开发。其高速读写能力可以满足实时数据存储需求，例如用于操作系统镜像、文件系统存储或多媒体数据缓存。

HY27UF084G2M-TPIB 主要应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、便携式导航设备（PND）、固态硬盘（SSD）、USB闪存盘以及工业自动化设备中的本地存储模块。其高容量与低功耗特性使其成为移动设备的理想选择，同时也能满足工业和汽车电子对稳定性和耐用性的需求。

K9F5608U0C-YCB0, TC58NVG1S3HTA00, MT29F4G08ABADAWP, HY27US0858120A-TPIB