HY27UF082G2B-TPIB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,具有高存储密度和可靠性,广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统以及嵌入式系统中。该芯片属于8位宽I/O接口的NAND闪存,支持多位错误校正和高耐久性。
型号:HY27UF082G2B-TPIB
类型:NAND闪存
容量:2 Gbit(256 MB)
接口:8位并行I/O
电压:2.7V - 3.6V
封装类型:TSOP
工作温度:-40°C至+85°C
页面大小:2 KB
块大小:128 KB
擦写周期:10万次以上
数据保留时间:10年
HY27UF082G2B-TPIB NAND闪存芯片采用了先进的工艺技术,确保在各种复杂环境下都能稳定运行。其2 Gbit容量非常适合需要中等存储空间的应用,如数码相机、便携式媒体播放器和工业数据存储设备。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测并纠正多位错误,显著提高数据传输的可靠性。
这款NAND闪存芯片的8位并行I/O接口提供了高速数据读写能力,同时在低功耗模式下仍能保持高性能运行,适用于电池供电设备。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的热稳定性和机械强度,适合在高振动或高温环境中使用。
此外,HY27UF082G2B-TPIB具有较长的擦写寿命(10万次以上),并支持10年的数据保留能力,适合需要长期存储和频繁写入的应用场景。其内部结构设计优化了坏块管理,提高了整体存储效率和使用寿命。
HY27UF082G2B-TPIB NAND闪存芯片适用于多种嵌入式存储和便携式电子设备,包括数码相机、MP3播放器、PDA(个人数字助理)、工业控制器、网络设备和固态硬盘(SSD)模块。该芯片的高可靠性和低功耗特性使其成为车载电子系统和医疗设备中的理想选择。
在消费类电子产品中,它常用于存储操作系统、固件和用户数据,特别是在需要中等容量存储且对成本敏感的设计中。在工业领域,该芯片可用于数据记录、设备配置存储以及嵌入式系统的启动介质。
由于其TSOP封装尺寸紧凑,HY27UF082G2B-TPIB也非常适合空间受限的便携式设备。此外,它的高耐久性和数据保持能力使其在恶劣环境下的长期运行中表现出色。
K9F2G08U0B-PCB0, TC58NVG2S0HFT0I, NAND256W3A2B4A