时间：2025/7/16 12:23:35
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HY27UF081G2M-VPCB 是一款由 Hynix（海力士）生产的 NAND Flash 存储芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具有高密度存储能力，广泛应用于嵌入式系统、消费类电子产品以及数据存储设备中。
这款芯片支持多页写入和高速数据传输功能，具备低功耗特性，适合需要大容量存储且对能耗敏感的应用场景。
容量：1Gb (128Mb x 8)
接口类型：NAND
工作电压：2.7V ~ 3.6V
封装形式：TSOP-48
数据宽度：8位
页面大小：2048 字节
块大小：128K 字节
最大擦除次数：100,000 次
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据保留时间：10 年
HY27UF081G2M-VPCB 具备以下特点：
1. 高存储密度：提供 1Gb 的存储容量，满足主流应用需求。
2. 快速数据访问：支持多页写入操作，显著提升数据吞吐性能。
3. 低功耗设计：在待机模式下功耗极低，非常适合便携式设备。
4. 可靠性高：经过严格的测试，确保其在恶劣环境下的稳定运行。
5. 小型化封装：采用 TSOP-48 封装，节省 PCB 空间。
6. 多种应用场景：适用于 MP3 播放器、数码相机、USB 存储盘等产品中。
HY27UF081G2M-VPCB 被广泛用于以下领域：
1. 嵌入式系统：作为主控芯片的外置存储单元，用于存放操作系统、应用程序或用户数据。
2. 数码产品：如 MP3 播放器、电子书阅读器等需要一定存储空间的设备。
3. 工业控制：用作日志记录、固件升级等功能的存储介质。
4. 数据备份与恢复：在小型数据存储模块中实现文件保存及快速恢复功能。
HY27US081G2M, K9F1G08U0A, MX30UF1G2BA
