时间：2025/5/23 13:45:34
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SN74ALS563B 是一款高性能的同步静态 RAM (SSRAM) 芯片，采用高级低功耗肖特基 (ALS) 技术制造。它具有高开关速度和较低的功耗特性，非常适合用于需要快速数据存取和低功耗的应用场景。
该芯片主要用作小型存储器缓冲区或临时数据存储解决方案，能够提供稳定的数据保存功能，并支持同步操作以确保数据传输的一致性和可靠性。
逻辑类型：双端口RAM
存储容量：256 x 8位
工作电压(VCC)：4.5V 至 5.5V
传播延迟时间(tPLH/tPHL)：18ns（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装形式：DIP-20, PDIP-20, SOIC-20
输入电流(IIL)：-400μA（最大值）
输出电流(IIH)：16μA（最大值）
SN74ALS563B 具备以下显著特点：
1. 高速性能：由于采用了 ALS 工艺，其传播延迟时间仅为 18ns，可满足高频应用需求。
2. 低功耗设计：在保持高速性能的同时大幅降低了静态功耗。
3. 宽工作电压范围：能够在 4.5V 至 5.5V 的电压范围内稳定运行，适应性更强。
4. 双端口结构：允许同时通过两个独立端口访问存储单元，提高系统效率。
5. 广泛的工作温度范围：适用于工业及军事级别的极端环境条件。
6. 多种封装选择：提供 DIP、PDIP 和 SOIC 等多种封装形式，便于不同应用场景下的使用。
SN74ALS563B 常见于以下领域和应用：
1. 数据缓冲和暂存：用于计算机、通信设备和其他电子系统中的数据缓冲。
2. 实时数据采集：在需要快速数据处理的实时系统中作为临时存储。
3. 嵌入式系统：在嵌入式控制器中用作小型存储器。
4. 数字信号处理：配合 DSP 芯片完成高效的数字信号计算任务。
5. 工业控制：适用于对可靠性和环境适应能力要求较高的工业自动化控制系统。
SN74LS563N, SN74HC563B, SN74F563N
