类型：NAND闪存
　　容量：128MB（1Gbit）
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口：8位并行接口
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：52引脚TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　页面大小：512字节 + 16字节（OOB）
　　块大小：32页/块
　　读取时间：最大70ns（访问时间）
　　写入时间：最大70ns

HY27UF081G2M-TPCM是一款高性能的NAND闪存芯片，采用先进的浮栅技术，具备非易失性存储特性，能够在断电后依然保持数据完整性。其存储容量为128MB（1Gbit），适用于需要较大存储空间但对成本敏感的应用场景。该芯片支持页编程和块擦除操作，具备较高的读写效率。其8位并行接口支持高速数据传输，适用于嵌入式系统和存储扩展应用。
　　该芯片采用TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的电子设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合工业级应用环境。此外，HY27UF081G2M-TPCM具备较强的抗干扰能力和可靠性，支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中检测并纠正单比特错误，提升数据存储的稳定性。
　　在操作方面，该芯片支持标准的NAND闪存命令集，用户可以通过发送相应的命令来执行读取、写入、擦除等操作。其页面大小为512字节数据加16字节OOB（Out-Of-Band）区域，OOB可用于存储ECC校验码或元数据信息。块大小为32页，擦除操作以块为单位进行，提高了擦写效率。该芯片的读取和写入时间最大为70ns，满足高速数据访问需求。

HY27UF081G2M-TPCM广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统，如数码相机、MP3播放器、USB闪存盘、工业控制设备、车载导航系统等。此外，该芯片也常用于固态硬盘（SSD）中的存储单元，适用于消费类电子产品和工业设备。

K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG2S3HFT00, NAND128W3A2BNZ