容量：1Gbit
　　电压：2.7V - 3.6V
　　接口类型：8-bit NAND
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C to +85°C
　　读取时间：最大50ns
　　写入时间：最大50ns

HY27UF081G2B-TPCB具备多项技术特性，使其在各类存储应用中表现出色。首先，该芯片采用了NAND闪存技术，支持高密度存储，具备快速读写能力，适用于需要频繁擦写和大容量存储的设备。其次，其工作电压范围为2.7V至3.6V，具有良好的电源适应性，可以在不同供电环境下稳定运行。此外，该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的便携设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费级产品。
　　HY27UF081G2B-TPCB支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测并纠正错误，提高数据存储的可靠性。同时，该芯片具备较长的擦写寿命，支持高达10万次的编程/擦除周期，确保其在长期使用中的稳定性。其高速I/O接口设计支持最大50ns的读写周期，适用于需要快速响应的应用场景，如嵌入式系统、便携式存储设备等。

HY27UF081G2B-TPCB广泛应用于多种电子设备和系统中。在消费电子领域，它常用于USB闪存盘、SD卡、MMC卡等存储介质，提供大容量、高速度的数据存储支持。此外，该芯片也适用于数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等设备，满足用户对多媒体文件存储的需求。在工业控制领域，该芯片可用于嵌入式系统的固件存储和数据缓存，确保设备在断电情况下仍能保留关键数据。同时，HY27UF081G2B-TPCB也适用于网络设备、通信模块和智能卡终端等需要可靠存储方案的场景。其宽温工作范围和高可靠性设计，使其在车载电子、安防监控等对环境适应性要求较高的应用中也能稳定运行。

K9F1G08U0B-PCB0, TC58NVG1S3BFT00, MT29F1G08ABBEAH4-12